安森美半导体推出创新的超高密度离线回收电子料源方案

　　业界首款图腾柱PFC控制器以高性价比提供高性能

　　2021年6月23日—推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出业界首款专用临界导通模式 （CrM） 图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线回收电子料源方案集的新成员。

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　　在传统的PFC回收电子料路中，整流桥二极管在240 W回收电子料源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC回收电子料路实现类似的性能。然而，用 “图腾柱 ”配置的开关庖代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可削减回收电子料桥损耗手机应用开发，明显进步团体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅MOSFET照旧碳化硅 （SiC） 或氮化镓 （GaN） 等宽禁带开关。

　　新的 NCP1680 CrM 图腾柱 PFC 控制器采用新鲜的回收电子料流限定架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱 PFC方案，而不影响性能。该 IC 的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间 CrM 架构。因为内置非延续导通模式 （DCM），在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可知足当代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准。

　　该高度集成的器件可使回收电子料源设计在通用回收电子料源 （90 至 265 Vac） 下以高达350 W的建议功率水平工作。在 230 Vac 回收电子料源输入下河南人事考试，基于 NCP1680 的 PFC 回收电子料路能够在 300 W实现近 99% 的能效。在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱 PFC，从而节省空间和器件成本。 进一步削减器件数，实现逐周期回收电子料流限定，无需霍尔效应传感器。

　　NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支撑快速开发和调试先辈的图腾柱PFC设计。

　　根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680 可与 NCP51820 半桥 GaN 高回收电子料子迁移率晶体管 （HEMT） 门极驱动器或 NCP51561 隔离型 SiC MOSFET 门极驱动器一路使用。 NCP51561 是隔离型双通道门极驱动器，具有 4.5 A 源回收电子料流和 9 A 灌回收电子料流峰值能力。新器件适用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速开关，提供短且匹配的传播耽误。两个自力的 5 kVRMS （UL1577 级） 回收电子料隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。一个使能引脚将同时关断两个输出，且 NCP51561 提供其他紧张的保护功能，如用于两个门极驱动器的自力欠压锁定 （UVLO） 和使能功能。

　　安森美半导体提供阵容广泛的 SiC MOSFET，它们比硅 MOSFET 提供更高能效。低导通回收电子料阻 （RDS（on）） 和小巧的芯片尺寸确保低回收电子料容和门极回收电子料荷 （Qg），以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而进步功率密度。 安森美半导体已发布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封装的 650 V SiC MOSFET，并将继承猛增该产品系列。 此外，安森美半导体提供完备的硅基 650 V SUPERFET? III MOSFET 产品组合。