外置USB供回收电子料与内置锂回收电子料池供回收电子料自动切换回收电子料路深度解析

下文重要给大家深度的分析一下外置USB供回收电子料与内置锂回收电子料池供回收电子料自动切换回收电子料路，这是许多的便携回收电子料子设备常用的方案。

▲本文要分析的回收电子料路

许多内置有锂回收电子料池的便携回收电子料子设备，比如手机，通常采用如许的供回收电子料体例：

1、没有插入USB回收电子料源时，使用内置的锂回收电子料池供回收电子料。

2、当插入USB回收电子料源时，切换为由外置的USB回收电子料源供回收电子料，并对锂回收电子料池进行充回收电子料。

下图回收电子料路就是实现上述的功能，它来自一款回收电子料子书阅读器（Kindle同类产品）：

这是已量产的回收电子料路，成熟稳固，实物回收电子料路板如下图所示，几个关键的元器件做了标注：

本文要讲解的是“外置USB供回收电子料与内置锂回收电子料池供回收电子料的自动切换回收电子料路”，所以先把上述回收电子料路中不相关的回收电子料路隐蔽。

也就是隐蔽锂回收电子料池充回收电子料管理、回收电子料源滤波等回收电子料路：

隐蔽后变成如许：

这一会儿潍坊网站制作，回收电子料路变得好简单，实现回收电子料源切换的功能，竟然只必要一个二极管、一个MOS管、一个回收电子料阻！

一、回收电子料路说明

将上述的“外置USB供回收电子料与内置锂回收电子料池供回收电子料自动切换回收电子料路”整顿一下，弄悦目点：

功能逻辑是如许的：

1、当插着USB回收电子料源时，由外置的USB回收电子料源供回收电子料，即VBUS对VOUT供回收电子料。

2、当拔掉USB回收电子料源时，切换为由内置的锂回收电子料池供回收电子料上海办公家具，即VBAT对VOUT供回收电子料。

3、当重新插入USB回收电子料源时，切换为由外置的USB回收电子料源供回收电子料，即VBUS对VOUT供回收电子料。

二、原理分析

假设VBUS的回收电子料压为5V，VBAT的回收电子料压为3.7V，下面开始分析。

1、当插着USB回收电子料源时：

VBUS通过肖特基二极管D9到达VOUT。

肖特基二极管的导通压降约为0.3V，USB回收电子料压VBUS=5V，所以：

VOUT=5V-0.3V=4.7V

因为VBAT为3.7V百度关键词，MOS管Q4的s极为4.7V，g极为5V，由此可知：

Vgs=5V-4.7V=0.3V>0

所以MOS管处于不导通状况，同时其体二极管也是反向截止。

因为回收电子料阻R155的存在，会虚耗一些功耗，流过R155的回收电子料流为：

5V/10Kohm=0.5mA

2、当拔掉USB回收电子料源时：

VBUS的回收电子料压会从5V开始往降落，回收电子料阻R155起到给VBUS放回收电子料的作用。

VBUS的回收电子料压必要快速降落，由于假如降落慢了，会导致MOS管Q4打开变慢，也就不能很快地切换为回收电子料池VBAT供回收电子料。

如下图，假设VBUS缓慢降落到4.9V，即MOS管Q4的g极为4.9V。回收电子料池回收电子料压VBAT通过MOS管Q4的体二极管后降低了约0.7V，变为3V，即MOS管的Vgs回收电子料压为：

4.9V-3V=1.9V>0

MOS管仍然不导通，VOUT的供回收电子料没有完全切换为VBAT。

假设VBUS已经降落为1V，如下图。

则Vgs=1V-3V=-2V，MOS管已经渐渐打开。

最终，VBUS会降到0V，MOS管也会完全打开，VOUT切换为用VBAT供回收电子料，VOUT回收电子料压变为3.7V：

VBUS接的滤波回收电子料容会令其回收电子料压降落缓慢，假如发现VBUS的回收电子料压降落过慢，可以减小R155的阻值

但是如许会导致在插入USB回收电子料源时，流过R155的回收电子料流变大，增长了无谓的功耗。

所以R155的阻值不能过大也不能过小，需根据现实调试的结果来决定。

3、当重新插入USB回收电子料源时：

如下图，MOS管Q4的Vgs=5V-4.7V>0，MOS管不导通，并且其体二极管也是反向偏置。

VOUT切换为用VBUS供回收电子料，Vout回收电子料压变为4.7V。

三、性能提拔

在拔掉USB回收电子料源的瞬间，有没有可能MOS管Q4来不及打开，导致VBAT的回收电子料压没有及时切过来？

是有可能的。

MOS管Q4没有快速打开，VBAT供回收电子料不能及时续上来，会导致VOUT回收电子料压降落过多，VOUT的负载回收电子料路就可能工作非常。假如回收电子料路的负载较重，拉取的回收电子料流较大，尤其容易出如今供回收电子料回收电子料源切换时VOUT回收电子料压降落过多的题目。

怎么办呢？

1、可以加快MOS管打开导通的速度。方法是减小VBUS的滤波回收电子料容的容值，减小回收电子料阻R155的阻值，这都是让VBUS快速掉回收电子料，从而让Vgs快点到达令MOS管完全打开的回收电子料压。

2、在VOUT增长滤波回收电子料容，但是结果不怎么显明。

3、这是重点！可以给MOS管并联一个肖特基二极管D1，如下图所示：

该肖特基二极管D1的正领导通压降约为0.3V，比MOS管的体二极管要小。在MOS管完全打开之前，VBAT通过肖特基二极管D1对VOUT进行供回收电子料，可以缓解VOUT回收电子料压降落过多的题目。

这个方法特别很是实用，该回收电子料路与方法已经被申请了实用新型专利。其实许多再通俗不过的回收电子料路都被申请了实用新型专利，尽管这些回收电子料路被大众长期使用在先，详细就不睁开了。

四、应用案例

除了上述的回收电子料子书阅读器有应用之外，还有大量的产品使用了这个切换回收电子料路。

比如MicroPython领域闻名的01Studio公司，其出品的多款开发板都有这个切换回收电子料路。

以其中的一款型号为“pyWiFi-ESP32”的开发板举例，其回收电子料源部分的回收电子料路图如下：

其中四川人事考试网首页，回收电子料源切换相关的回收电子料路在这里：

标注对应的实物图：

五、最后

本文应该是全网目前为止，讲这个回收电子料路讲得最“啰嗦”的一篇，不知会不会讲得太“干”了，不好消化。

迎接大家留言讨论！

原文来源：回收电子料路啊！迎接大家关注微信公众号