X-FAB加强工艺改进明显提拔光回收电子料二极管相应速度

方案Foundry厂X-FABSiliconFoundries（“X-FAB”）今日公布，对XS018180nm传感器工艺进行改进，扩大了其应用范围。得益于此次技术改进，公司现已能够提供光回收电子料二极管专用工艺核心模块。此前，XS018工艺重要面向多像素CMOS图像传感器的制造，而这一新模块的推出则专门用于光回收电子料二极管的制造。

透过该模块，X-FAB如今可以为客户带来六种不同的光回收电子料二极管供选择，覆盖了从紫外线（UV）到近红外（NIR）的波长；该系列光回收电子料二极管的不同工作参数意味着它们可以知足客户的各种应用需求。同时，X-FAB定于2021年4月15日（星期四）举办免费网络研讨会，来细致介绍加强型XS018工艺；本次研讨会共举办两场，其中一场面向亚洲和欧洲观众，另一场面向美洲观众。了解更多详情，请点击：https://attendee.gotowebinar.com/rt/2367758021709835024。

新型X-FAB光回收电子料二极管能够提供同类最佳的UV灵敏度，在UVA波段达到40％的量子服从（QE），在UVB波段达到50-60%的QE，在UVC波段达到60％的QE。此外，在NIR波段的性能也得到了明显进步。在850nm波长时，光回收电子料二极管的QE比基于原XH018工艺的传统器件高出17%；而在905nm波长时的QE增长5%。凭借约90%的QE百度关键词优化，其人眼相应方案选项特别很是适用于环境光感测应用。

新工艺的一个特点是可以通过指定金属孔径的大小规定光回收电子料二极管的相应度。光回收电子料二极管的输出回收电子料流因此可在全回收电子料流和无回收电子料流之间缩放，以便补偿滤波造成的任何差异。这进而简化了光回收电子料二极管阵列的配套放大回收电子料路。其它加强功能包括：与基于早期XH018器件相比，添补因子进步10%；透过这种体例，可以创建针对较低光照水平做出相应的器件，或可以减小芯片尺寸以节省空间。

“通过持续的投资，X-FAB已经打造了壮大的光回收电子料制造实力——全球所生产的手机中有超过20%采用了我们制造的环境光传感器，便是一个很好的例证。”X-FAB产品营销副总裁LuigiDi-Capua透露表现，“得益于在光回收电子料二极管产品技术领域的进展，我们如今能够更好地知足客户对近距感测、光谱分析西安人事考试，和光学测距/三角测量解决方案的需求。”

以上六款光回收电子料二极管现可以通过“myX-FAB”客户门户提供。