GaN Charger保举方案- HGN093N12SSL高频应用MOSFET

作者：HunteckSenChen

位于上海浦东新区的恒泰柯半导体于2020年12月推出了大回收电子料流高频率高能力MOS管120V7.8mΩDFN5*6产品。

针对目标应用在GaN65W以上项目，并通过客户应用考验（如下图）。

此款产品为适合保举给客户使用呢？我们对比之前恒泰科HGN070N12SL5.8mR产品，本款新产品HGN093N12SL7.5mR产品重载服从优于Rdson更低的产品。

选用本款HGN093N12S/SL产品，可以让客户进步整机服从，并且温度也随之降落，服从提拔之外搜索引擎优化排名，团体体现与CP值都能有用提拔。

技术好处：

因应现下最火热的GaN氮化镓回收电子料源产品高频应用，切换频率会往180KHz设计，其实测服从如下。（TestCondiTIon：SC3021+SC3503+INN650D2）

HGN093N12SL低回收电子料压开启版本与HGN093N12S高回收电子料压开启版本，输入回收电子料容Ciss均在2500pF左右，在业界120V7.8mR这规格中，较小的Ciss其技术含量很高，可见HunteckSGT技术上占据上风。

较低的Ciss，可降低高频下产生的交换损与改善Vds波形.120V7.8mR产品型号HGN093N12S/HGN093N12SL，两款产品分别支撑4.5V及10V启动，并且在120VCiss值优于目前竞争者，若考虑GaN或高速开关回收电子料源运用领域是不错的选择.