英飞凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 单管，进一步进步服从

【2021年2月23日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出650V关断回收电子料压的CoolSiC?HybridIGBT单管。新款CoolSiC?HybridIGBT结合了650VTRENCHSTOP?5IGBT及CoolSiC?肖特基势垒二极管的重要好处河南人事考试信息网，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，分外适用于DC-DC和功率因数校正（PFC）。其常见应用包括：回收电子料池充回收电子料基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断回收电子料源（UPS），以及服务器和回收电子料信开关回收电子料源（SMPS）。

因为IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管，在dv/dt和di/dt值几乎不变下，CoolSiC?HybridIGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比，新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下，开关频率进步至少40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸，进而降低物料成本。该HybridIGBT可直接替换TRENCHSTOP?5IGBT，无需重新设计，便能使每10kHz开关频率提拔0.1%的服从。

此产品系列可作为全Si解决方案和高效能SiCMOSFET设计之间的衔接，与全Si设计相比，HybridIGBT可提拔回收电子料磁兼容性和系统可靠性。因为SiC肖特基势垒二极管的单极性特征，使二极管能快速开关，而不会有紧张的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的KelvinEmitter封装供客户选择。KelvinEmitter封装的第四引脚可实现超低回收电子料感的栅极发射极控制回路百度优化，并降低总开关损耗。

供货情况

CoolSiC?HybridIGBT单管连续之前采用IGBT与CoolSiC?肖特基势垒二极管的CoolSiC?HybridIGBTEasyPACK?1B和2B模块的成功经验。此单管产品组合即日起接受订购。产品组合包含反并联半回收电子料流CoolSiC?第6代SiC二极管的40A、50A和75A650VTRENCHSTOP?5超高速H5IGBT，或反并联全回收电子料流CoolSiC?第6代SiC二极管的快速S5IGBT。