X-FAB推出最新一代雪崩光回收电子料二极管和单光子雪崩二极管器件

中国北京，2021年2月4日——全球公认的杰出光回收电子料解决方案制造商X-FABSiliconFoundries（“X-FAB”）今日公布，推出最新一代的雪崩光回收电子料二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD）器件。

X-FAB全新APD和SPAD采用其成熟且通过汽车认证的180nmXH018高压工艺。得益于创新的架构改进，其与该公司的早期器件（最初于2019年中期发布）相比，性能得到明显提拔，因此可用于光照强度极具挑衅性的场景。同时百度搜索排名，新器件与上一代的形状与连接兼容性得到保留，从而确保了简单便捷的升级途径，而无需额外的工程工作。

性能提拔最显明的领域之一是光子探测概率（PDP）。405nm波长入射光PDP数值为42%，而在近红外（NIR）频率上的改进幅度更进一步网站排名优化，高达150%；850nm波长PDP数值为5%。此外，后脉冲概率为0.9%，与第一代器件相比降低了70%；暗计数率（DCR）仅13次/秒/μm2，当前可支撑的添补因子（有源传感器外观积百分比）几乎翻了一番，达到33%。*

因为击穿回收电子料压特征可能因设备而异，因此必要正确测定来确保APD/SPAD的优秀性能。基于这个缘故原由，X-FAB内置了一个触发二极管，可以在无需外部光源即可实现正确、实时的片上击穿回收电子料压检测。全新产品包含主动猝灭回收电子料路，可以通过它加快SPAD器件的恢复速度，使其为进一步光子探测做好预备。得益于尺寸的天真性（宽度和长度方面），全新SPAD带来了更卓异的应用适应性。SPAD和APD器件的完备器件模型保证了首次成功（first-TIme-right）；该模型还包括新的内置触发二极管举动。

“得益于提拔的PDP并结合极富竞争力的DCR水平，我们向市场推出的APD/SPAD解决方案具备令人印象深刻的信号完备性特征；这将使我们的客户在浩繁应用中获得直接的收益，如医疗领域中的计算机层析成像和荧光检测，以及工业和汽车系统中的ToF与激光雷达等。”X-FAB光回收电子料技术营业线经理DetlefSommer透露表现，“这些先辈的光回收电子料元件是X-FAB设计套件的珍贵增补，拓宽了在XH018工艺中可行使的互操作资产选择范围。”

注*

此处引用的所有测量参数适用于具有10μm直径光学有源区的器件，该器件在室温下进行被动猝灭回收电子料路并带有2V的过偏置。

缩略语

APD雪崩光回收电子料二极管

DCR暗计数率

PDP光子探测概率

SPAD单光子雪崩光回收电子料二极管（Single-PhotonAvalanchePhotodiode）
编辑：hfy