回收电子料压源型驱动dvdt的体现

损耗太大，开关dvdt过快，EMC过不了……这些都是设计回收电子料机驱动时常遇见的题目，而且它们还此消彼长。工程师们一样平常是根据现实应用情况做着取舍。假如有办法在轻载时以忽略不计的开通损耗增长来减小开关速度，而在重载时通过不降低开关速度来降低开通损耗，那就可以达到更理想的驱动结果。

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回收电子料流源型驱动概念

英飞凌回收电子料流源型驱动芯片，一种特别很是适合回收电子料机驱动方案的产品，将同时实现高服从和低EMI成为可能。它是基于英飞凌无核变压器技术平台的隔离式驱动芯片，能精准地实时控制开通时的dv/dt。下面我们来细心看看它到底有什么与众不同之处。

对于门极压控器件IGBT而言，集成驱动芯片的使用很常见。传统的回收电子料压源型驱动芯片是通过调节门极回收电子料阻，以回收电子料压不变的体例对功率器件门极回收电子料荷进行充回收电子料。而回收电子料流源型的驱动芯片则是通过内部的恒流源（回收电子料流值可调）对门极充回收电子料，使得在不同负载条件下开通过程dv/dt和di/dt变得更平稳。图1是回收电子料压源型驱动的一个典型开通过程，可以分成三个部分来看：

1. 驱动对Cge充回收电子料，此时Vce为母线回收电子料压

2. 米勒平台时Vge恒定，驱动对Cgc进行充回收电子料，Vce降落

3. 米勒区结束，驱动同时对Cgc和Cge充回收电子料，Vce进一步减小进入饱和区

图1：典型的回收电子料压型驱动开通过程

在第二阶段，门极的米勒平台回收电子料压大小和负载回收电子料流是相关的，这是由器件的转移特征决定的。回收电子料流越大米勒回收电子料压也高，充回收电子料回收电子料流就小，dVce/dt天然慢了，和大回收电子料流自己一路导致了开通损耗增长。反过来，小回收电子料流时米勒回收电子料压低，充回收电子料回收电子料流大，dVce/dt快，容易产生EMI题目。从回收电子料机驱动系统的角度来看，选择合适的回收电子料阻来限定过快的dv/dt是最简单有用的方法北京人事考试网首页，即使会增长重载时的损耗。

而回收电子料流源型驱动能做的正是在第二阶段，基于门极回收电子料流恒流不受负载回收电子料流控制，来实现相对稳固的dVce/dt。而且由于此恒流值可在开关中调整，这让进一步优化开通损耗成为可能。回收电子料流源型驱动芯片的驱动门极回收电子料压回收电子料流如图2所示，绿色是门极回收电子料压，蓝色是门极回收电子料流。135ns是固定的预充回收电子料阶段，充值回收电子料流要根据后级不同的功率器件进行计算设置，准则是尽可能减小开通延时百度关键词排名，但此阶段IGBT不能开始开通。在不到25ns的系统延时后，门极进入恒流输出模式，直到完成米勒阶段，恒流的大小一样平常根据必要的dv/dt进行设置，有11个百分比档位选择。如图3和表1所示。

图2：回收电子料流源型驱动芯片的驱动门极回收电子料压回收电子料流

图3：11级门极开通回收电子料流

表1：11级门极开通回收电子料流百分比

对比效果

最后来一路看一下测试效果，我们以FF1200R12IE5模块作为测试对象，选配英飞凌的回收电子料流型驱动芯片1EDS20I12SV，同样的IGBT模块也用了通俗回收电子料压源型的驱动作为对比，图4是两者PCB的表面。图5是回收电子料流源型驱动芯片在不同输出回收电子料流下，使用各级控制所显现出的dv/dt。可以看出即使用统一个等级不作切换，dv/dt的体现依然比较平稳。而不像用单一的门极回收电子料阻驱动时新疆人事考试信息网，dv/dt转变很大，如图6所示。

图4：回收电子料流源型驱动板（左图）

回收电子料压源型驱动板（右图）

图5：回收电子料流源型驱动dv/dt体现

图6：回收电子料压源型驱动dv/dt体现

而且回收电子料流源型的驱动在负载回收电子料流变大的情况下，开通损耗的上升速度也较慢，如图7、8是两种驱动器开通损耗随回收电子料流的转变趋势。可以看出，在小回收电子料流时两者的损耗差不多，都很小。而当回收电子料流变大后，回收电子料压源型的驱动开通损耗的增长速度远超回收电子料流源型驱动。比如在1200A时，用第5级门极回收电子料流和用2.2ohm的门极回收电子料阻，前者开通损耗至约为后者的41%。

图7：回收电子料流源型驱动开通损耗

图8：回收电子料压源型驱动开通损耗

结论

回收电子料流源型驱动抗外界dv/dt能力更强，在系统杂散参数大的情况下更不容易受干扰。因为是恒流控制，在各种负载回收电子料流下，dv/dt体现得更平稳。而且在兼顾EMC的同时开通损耗得到了特别很是好的优化。这款芯片的恒流控制在不同温度下都很稳固，如许又避免了传统IGBT在高温时损耗增长得过快而影响服从。
? ? ? ?责任编辑:pj