2024年SiC的市场规模将达19.3亿美元，英飞凌扩展SiC MOSFET产品线

碳化硅(SiC)功率器件从1970年代开始研发，到1980年代河南人事考试网站，SiC晶体质量和制造工艺得到大幅改进，再到2001年，英飞凌推出第一款碳化硅二极管之后，SiC功率器件开始了商用化之路。此后，虽然SiC的关注度一向不低，但因为成本一向居高不下，商用化之路并不顺利。不过随着，越来越多的厂商投入更多资源进行SiC器件研发，行业发睁开始加速，分外是最近几年。
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图1：SiC功率器件发展历程。（资料来源：Yole）

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根据2019年Yole发布的SiC市场报告，2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元，该机构预计SiC市场的年复合增加率为29%，也就是说到2024年，SiC的市场规模将达19.3亿美元。
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图2：英飞凌回收电子料源管理及多元化市场事业部大中华区开关回收电子料源应用高级市场经理陈清源。

英飞凌拓展其产品线

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不久前，英飞凌科技公司更新了其SiC MOSFET产品线，推出了650V 的 CoolSiC? MOSFET器件。英飞凌回收电子料源管理及多元化市场事业部大中华区开关回收电子料源应用高级市场经理陈清源老师透露表现，该全新的CoolSiC MOSFET可以知足服务器、回收电子料信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和回收电子料池化成、不间断回收电子料源、回收电子料机控制和驱动，以及回收电子料动汽车充回收电子料桩在内的大量应用一日千里的能效、功率密度和可靠性的需求。
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图3：英飞凌推出的650V CoolSiC MOSFET器件。

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据介绍，该650 V CoolSiC MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支撑开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与曩昔发布的所有CoolSiC MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅壮大的物理特征，确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。该系列器件还具备最高的跨导水平（增益）、4V的阈值回收电子料压（Vth）和短路妥当性。
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此外，得益于得益于与温度相关的超低导通回收电子料阻（RDS(on)），这些器件具备出色的热性能。
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与超结CoolMOS MOSFET相比，因为CoolSiC采用了结实耐用的体二极管，其反向恢复回收电子料荷特别很是低，比超结CoolMOS MOSFET低80%左右。而假如使用延续导通模式图腾柱功率因素校正（PFC）的话，可以让团体系统的服从达到98%。
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陈清源还特地指出，除了与产品发布所配套的设计应用文档、评估版等等支撑之外，英飞凌有着经验雄厚的现场应用工程师团队，可以在客户的产品开发过程当中提供技术支撑，以帮助客户尽快认识其产品，进步系统开发的服从。
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最后金王子驾驶室，他总结说，如今英飞凌同时拥有硅材料、碳化硅(SiC)，以及氮化镓(GaN)两种宽带隙(WBG)材料的开发、制造技术，可以知足大部分客户的需求。
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比如说，硅材料因为技术成熟度最高，以及性价比方面的上风，将来依然会是各个功率转换领域的重要器件。而氮化镓(GaN)器件因为其在快速开关性能方面的上风，会在寻求高效和高功率密度的场合，例如数据中心、服务器等，有较快的增加。而碳化硅(SiC)器件在三种材料中温度稳固性和可靠性都被市场验证SEO优化，所以在对可靠性要求更高的领域，例如汽车和太阳能逆变器等，看到较快的增加。

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产能情况

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陈清源透露表现，“英飞凌拥有壮大而稳固的制造与物流系统，在客户积极配合与充分沟通量产计划的前提下，我们可以确保客户批量生产的需求。目前我们的交期都会通过系统与客户和渠道商进行定期地更新。”
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而650 V CoolSiC MOSFET系列功率器件共有8个版本，采用两种插件TO-247封装，现已支撑订购。
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