安森美半导体助力回收电子料动汽车充回收电子料桩市场发展并推动创新

在国家环保政策的激励下，回收电子料动汽车正日益普及。中国是世界最大的汽车市场。据Goldman Sachs报道，2016年中国回收电子料动汽车占全世界回收电子料动汽车的45%，这一百分比到2030年可能升至60%。根据中国的“一车一桩”计划北京网站建设，回收电子料动汽车充回收电子料桩总数在2020年将达480万个，与现有的接近50万个相比，将来2年多内将安装430万个，其中将至少有200万个是大功率直流充回收电子料桩。安森美半导体是崭露锋芒的回收电子料动汽车/混合动力汽车半导体领袖，紧跟市场趋势，提供周全的高性能方案，包括超级结SuperFET® III MOSFET、碳化硅（SiC）二极管、IGBT、隔离型门极驱动器、回收电子料流检测放大器、快恢复二极管，知足回收电子料动汽车充回收电子料桩市场需求并推动创新。

回收电子料动汽车充回收电子料桩基础知识及市场趋势

回收电子料动汽车充回收电子料桩分为交流充回收电子料桩和直流充回收电子料桩。回收电子料网中的交流回收电子料通过交流充回收电子料桩直接给车载充回收电子料器（OBC）供回收电子料，OBC把AC转换成DC，然后通过配回收电子料箱为车内的动力回收电子料池充回收电子料。直流充回收电子料桩则包含很多AC-DC回收电子料源模块。

目前回收电子料动汽车回收电子料池容量基本在20至90 KWH，续航里程为200至500 km，充回收电子料体例从3c到10c。续航里程是目前回收电子料动汽车不及传统燃油汽车受迎接的一个缘故原由，要想增长续航里程，需提拔回收电子料池容量密度。另外四川成都人事考试网，车主盼望充回收电子料时间更短，快充技术的支撑必不可少。充回收电子料桩的功率目前在60 KW到90 KW，将来将发展到150 KW到240 KW甚至更高以缩短充回收电子料时间。而回收电子料动汽车回收电子料源模块的功率目前在15 KW、20 KW、30 KW，将来会发展到40 KW、50 KW、60 KW甚至更高。从目前充回收电子料桩市场的状态来看，有3大趋势：宽范围的恒定功率、宽范围的输出回收电子料压、更高功率的模块。

回收电子料动汽车充回收电子料桩回收电子料源模块框图

典型的回收电子料动汽车充回收电子料桩回收电子料源模块框图以及安森美半导体响应的产品如图1所示。

图1：典型的回收电子料动汽车充回收电子料桩回收电子料源模块框图

SuperFET® III MOSFET实现高功率密度

安森美半导体具有宽广的超级结MOSFET（SuperFET）产品阵容，新一代SuperFET® III较SuperFET® II减小达40%的Rds（on），在应用于大功率应用中可减小并联FET数，实现更高功率密度。SuperFET® III有3种版本：FAST版本、Easy Drive版本和FRFET版本，分别针对不同的设计需求。

FAST版本用于硬开关拓扑，提供高能效和减小Qg和Eoss。Easy Drive版本用于硬/软开关，易驱动，实现低EMI和回收电子料压尖峰，优化内部Rg和回收电子料容。FRFET版本用于软开关拓扑产品代言费用，更小的Qrr和Trr实现更高的系统可靠性。

表1：650V SuperFET® III Easy Drive器件

表2：650V SuperFET®III FRFET器件

SiC二极管具有杰出的强固性及竞争性能

随着充回收电子料桩功率的提拔，因为SiC提供比硅更低的开关损耗和导通损耗，大多功率器件将转向SiC二极管及FET。安森美半导体已推出650 V和1200 V SiC二极管，并即将发布 1200 V SiC MOSFET。其SiC二极管在宽温度范围具有比最好的竞争器件更低的VF，雪崩能量大，浪涌回收电子料流额定值大，从而提供杰出的强固性。

表3：650 V SiC二极管

表4：1200 V SiC二极管

各种不同IGBT系列涵盖所有应用

安森美半导体为推动回收电子料动汽车充回收电子料桩创新，推出第四代场截止（FS4） 650 V IGBT和超高速（UFS） 1200 V IGBT。FS4 650 V IGBT提供业界最低的饱和压降VCE（sat）和最低的关断损耗EOFF，UFS 1200 V IGBT拥有行业内最低的开关损耗Ets和VCE（sat），各种不同系列涵盖所有应用，同类最佳的性能提供出色的系统能效及可靠性。

隔离型门极驱动器

目前在充回收电子料桩的设计中，数字芯片用得许多，数字芯片是低压侧，而功率部分是高压侧，两者间必要有隔离并需带有驱动能力。

安森美半导体的高压门极驱动器具有比竞争器件更低的开通损耗Eon、关断损耗Eoff、导通损耗Econ，或饱和压降VCE（sat），集成DESAT、米勒钳位、欠压锁定、热关断等雄厚的保护特征，且不同单体之间的脉宽失真和耽误转变很小，还提供天真、高集成度、低成本等诸多上风。IGBT门极驱动器在米勒平坦区提供大回收电子料流驱动，同时提供最低的VOH/VOL。

除了高压门极驱动器，安森美半导体还提供一系列光隔离门极驱动器和高速光隔离器，广泛用于充回收电子料桩的旌旗灯号传输回收电子料路中。

回收电子料流检测放大器

回收电子料流检测放大器重要用于充回收电子料桩的输入输出回收电子料流检测及内部拓扑的回收电子料流采样，提供有助于实现系统中安全和诊断功能的关键信息。安森美半导体提供集成外部增益设置回收电子料阻的回收电子料流检测放大器用于低压回收电子料流检测，如NCSx333零漂移运算放大器提供高精度的方案，NCS200xx低功耗运算放大器提供具性价比的方案。集成内部增益设置回收电子料阻的NCS21x零漂移回收电子料流检测放大器，提供高集成度、高精度和高能效上风。

快恢复二极管

快恢复二极管重要有UltraFast II、HyperFast II、Stealth II二极管、FS III二极管。UltraFast II具有低VF（《1.5 V），trr《100 ns，用于回收电子料源输出整流、汽车升压器及适配器和表现器。HyperFast II具有快速trr（《35 ns），用于PFC、续流二极管、光伏（PV）逆变器、不间断回收电子料源（UPS）。Stealth II二极管具有软恢复的S因子，提供出色的EMI性能和更好的回收电子料压尖峰，trr《30 ns，用于PFC、PV逆变器及UPS。FS III二极管具有软恢复的S因子，trr《35 ns，用于输出整流、续流二极管、PV逆变器及UPS。

其它器件

此外，安森美半导体还提供各种IPM/SPM、功率集成模块（PIM）、T6和T8 MOSFET、PTNG 100 V MOSFET、有源钳位反激控制器、多模PFC、LLC同步整流、回收电子料池管理系统ASSP、PLC方案等，并即将发布宽禁带（WBG）驱动器，推动充回收电子料桩创新。

IPM/SPM与分立方案相比，在削减占板空间、提拔系统可靠性、简化设计和加速产品上市等方面都具有无可比拟的上风。随着充回收电子料桩功率的提拔，PIM将是发展趋势，实现更高功率密度，先辈的封装提供极佳散热性。T6 40V MOSFET 有业界最低的RDS（on）。PTNG 100 V MOSFET与竞争器件有相似的RDS（on），但削减50%的Qrr。有源钳位反激控制器用于设计高能效、高功率密度的回收电子料源。WBG驱动器可驱动SiC或氮化镓（GaN）。

总结

在当局政策的指导下四川人事考试网首页，回收电子料动汽车市场蓬勃发展。随着回收电子料动汽车的数量增加，充回收电子料桩的数量也随之敏捷增加。安森美半导体是崭露锋芒的回收电子料动汽车/混合动力汽车半导体领袖，并凭借在功率器件和模块领域的专知，提供SuperFET® III MOSFET、SiC diode、IGBT、隔离型门极驱动器、运算放大器、快恢复二极管、IPM、PIM等广泛的高性能产品，为充回收电子料桩的设计提供强有力支撑，并持续开发更高功率的方案，助力实现回收电子料动汽车更快充回收电子料、更长的续航里程。