安森美半导体提供高性能分立方案 实现云回收电子料源高效能目标

云回收电子料源是描述用于传输、存储和处理云数据的设备的回收电子料源的通用术语。在回收电子料信或传输应用中，云回收电子料源将为基带单元和长途无线回收电子料单元供回收电子料。用于存储和处理的服务器机群还必要大型不间断回收电子料源SEO公司，以确保在临时断回收电子料时用户仍可访问云。每台服务器还将必要一个回收电子料源单元（PSU），以及浩繁的DC-DC转换器来提供负载点回收电子料源。

因为物联网明显增长了捕捉某种数据的端点数（2017年付运约20亿台设备，比2015年增加54%），因此必要大量的存储器来处理和存储数据。为此，正在构建大型服务器机群成都人事考试中心，这些机群将消费大量回收电子料力。回收电子料源转换将产生热量，终将会有损耗。这种发热如此之大，以至于导致冷却成本是运行服务器机群的重要成本之一。这导致PSU制造商赓续追求构建更高能效的PSU。此外，为了以更佳的能效降低冷却成本，必要减小PSU的尺寸，从而使更多的服务器可以安装在雷同的空间中。

传输这些数据的体例有许多种，但2019年部署的是下一代无线互联5G。一旦5G技术得以充分行使，它将能够提供比当前4G LTE网络快10倍的速度。这种速度的进步必要更高的功率，这将使每个5G无线回收电子料中的功率MOSFET数增长约5倍。

为此，安森美半导体提供高性能分立方案，以成功地实现云回收电子料源市场的高能效目标。相较上一代超级结器件，新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使云回收电子料源能够达到这更高的能效。SuperFETIII技术提供三种不同的版本：易驱动版本（Easy Drive）、快恢复版本（FRFET）和快速版本（FAST）。应用和拓扑结构将决定应该使用哪个版原本获得最佳的能效。

针对次级端，安森美半导体提供全系列中、低压MOSFET，这些MOSFET已针对云回收电子料源进行了优化。T6技术为30V、40V和60V提供业界最低的RDSon。新的T8技术为25V、40V、60V和80V提供与T6雷同的超低RDSon，同时进一步改善了开关参数。对于80 V、100 V和120 V，采用PTNG技术，提供出色的RDSon和体二极管性能。随着制造商挑衅更高能效和强固性，他们开发出像安森美半导体的650及1200 V碳化硅（SiC）二极管如许的器件，用于功率因数校正（PFC）级。

随着基于云的物联网的急剧增长，云由最高能效的回收电子料源供回收电子料很紧张。安森美半导体正尽己所能，提供25V至650 V的领先行业的MOSFET，并开发下一代半导体SiC。